超深亚微米NMOSFET相关论文
在器件尺寸缩小到超深亚微米及纳米尺度后,热载流子效应仍然是CMOS电路退化乃至失效的重要因素。本文对超深亚微米NMOSFET中热载流......
随着MOS器件尺寸不断缩小,器件内沟道电场和电流密度激增,高电场使得热载流子（Hot Carrier）的形成儿率大大增加。这些热载流子具有相......
学位
