衬底电流相关论文
利用0.15μm标准CMOS工艺制造出了工作电压为30V的双扩散漏端MOS晶体管(double diffused drain MOS,DDDMOS).观察到DDDMOS的衬底电......
本文介绍一种新的采用载流子总量方法分析短沟道MOSFET直流稳态特性的数值模型。使用专用模拟程序 LADES1-A (Lisban Advance Devi......
建立精确的衬底电流模型是分析ＭＯＳＦＥＴ 器件及电路可靠性和进行ＭＯＳＦＥＴ 电路设计所必需的．在分析载流子输运的基础上建立了一个常规结构深亚微米ＭＯＳＦＥＴ ......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
研究了基于90nm CMOS工艺的nMOSFET中正负衬底偏压VB对衬底电流IB的影响。衬底电流IB在0V...
采用双曲正切函数的经验描述方法和器件物理分析方法,建立了适用于亚微米、深亚微米的LDD MOSFET输出I-V特性解析模型,模型中重点......
基于泊松方程和幸运电子模型,推出了适用于高压n型器件衬底电流(ISUB)的公式,并且为模拟和实验测量的结果所验证.普通n型低压器件......
利用0.15μm标准CMOS工艺制造出了工作电压为30V的双扩散漏端MOS晶体管。观察到DDDMOS的衬底电流-栅压曲线有两个峰。实验表明,DDD......
基于0．18gm高压n型DEMOS（drain extended MOS）器件，报道了在衬底电流Isub两种极值条件下作高压器件的热载流子应力实验，结果发现器件电......
基于泊松方程和幸运电子模型,推出了适用于高压n型器件衬底电流（ISUB）的公式,并且为模拟和实验测量的结果所验证.普通n型低压器件的......
用二维器件仿真软件Silvaco-Atlas模拟了VDMOS器件工作时产热分布,观察到高温区集中分布在沟道末端及积累层区域。仿真了自加热效......
建立了衬底电流模型中特征长度参数的改进描述，该参数的引入使衬底电流模型能够有效地适用于从微米尺寸到亚微米、深亚微米尺寸的LD......
研究了在恒压应力下超薄栅nMOSFET软击穿后的衬底电流特性．软击穿时间由衬底电流随时间的弛豫特性和器件输出特性测量时监测的衬底......
采用双曲正切函数的经验描述方法和器件物理分析方法，建立了适用于亚微米、深亚微米的LDD MOSFET输出I-V特性解析模型，模型中重点考......
衬底电流是纳米级MOSFET电学性质分析的重要基础,也是集成电路设计的先决条件。建立精确的衬底电流模型是分析MOSFET器件及电路可......
实现了一种新型恒压输出电荷泵电路,通过选择合理的电荷泵结构能有效抑制反向电流及衬底电流,并通过一种负反馈稳压电路得到低纹波......
本文基于小尺寸MOS器件热载流子退化的物理机理，对器件热载流子退化所导致的性能退化进行了深入的理论分析和相应的实验研究，给出了......
轻掺杂漏（LDD）工艺已经成为亚微米、超深亚微米MOS器件能够有效地抑止热载流子（HC）效应的标准工艺之一，但它同时也带来了在小尺寸器件模......
多晶硅薄膜晶体管(TFT: Thin Film Transistor)在液晶显示中的广泛应用,使其越来越受到重视。但是,目前多晶硅TFT的表征方法还主要......
半导体功率器件是自集成电路发展以来一直被关注的主要焦点之一。它是实现工控智能化、系统化的核心技术基础。VDMOS器件是自20世......
LDMOSFET(Laterally Diffused Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Tran-sistor,横向扩散金属氧化物半导体场效应管)是高压功......
随着器件尺寸的不断减小,按比例缩小技术将逐渐接近于其物理极限,并受到经济成本不断增加的制约,所以其实际效益呈持续下降的趋势......
在器件尺寸缩小到超深亚微米及纳米尺度后,热载流子效应仍然是CMOS电路退化乃至失效的重要因素。本文对超深亚微米NMOSFET中热载流......
随着MOS器件尺寸不断缩小,器件内沟道电场和电流密度激增,高电场使得热载流子（Hot Carrier）的形成儿率大大增加。这些热载流子具有相......
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