超结MOSFET相关论文
超结MOSFET依靠二维电场的引入打破了“硅极限”。然而,其二维电场深受柱区电荷失衡的影响,而工艺误差的存在极易使电荷失衡,从而......
超结（Super junction）MOSFET因其导通电阻低,开关速度快,特别适合应用在全桥和半桥电路中,在直流充电桩和大功率电源领域应用广泛。......
SiC超结MOSFET设计基于N/P柱的电荷补偿效应，在保证耐压的同时具有较低的导通损耗和更快的开关速度，因此对SiC超结MOSFET可靠性的分......
在许多高电压开关应用当中,都需要采用具有良好特性的体二极管且耐用性强的MOSFET。依照超结(SJ)电荷平衡概念所设计的器件,由于有......
简述了超结MOSFET的诞生及其基本原理和器件可靠性；介绍了超结MOSFET的一些不足和针对这些问题进行的改进；最后简要介绍了基于超结理......
超结MOSFET具有VDMOS的输入阻抗高、驱动电流低、开关速度快、热稳定性好、安全工作区宽等优点,同时缓解了击穿电压与导通电阻的矛......
超结MOSFET(SJ-MOS)因其低导通损耗在许多领域已逐渐取代传统的MOSFET,但在航空航天等辐射环境中的进一步应用将受到单粒子辐射效......
众所周知,传统MOSFET的比导通电阻近似正比于击穿电压的2.5次方,这限制了器件性能的进一步提升。而超结MOSFET基于相互交替排列的P......
随着功率半导体技术的发展,超结器件(Super Junction)已经在中高压功率半导体器件领域被广泛采用,但是超结器件主要存在两个问题,......
半导体功率器件被广泛应用于汽车电子,网络通信等各大领域,目前最具代表性的两种功率器件即为绝缘栅场效应晶体管(IGBT)和超结MOSF......
