电荷非平衡相关论文
超结MOSFET依靠二维电场的引入打破了“硅极限”。然而,其二维电场深受柱区电荷失衡的影响,而工艺误差的存在极易使电荷失衡,从而......
建立了电荷非平衡情况下superjunction(SJ)耐压结构的二维电场分布理论模型.获得了浓度和宽度非平衡、梯形n-/p-区和横向线性缓变......
首次指出了超结IGBT这一新型功率半导体器件独特的导通机理并对其作了详细分析。通过TMA—MEDICI仿真验证,超结IGBT耐压能力和正向......
本文主要利用二维器件模拟软件MEDICI开展大功率SiC SBD器件结构设计及性能仿真技术研究。通过对4H-SiC肖特基势垒二极管的正向特......