边界层电容器相关论文
<正>半导体陶瓷边界层电容器因其优异的物理性能而受到广泛重视.但自60年代初发明BaTiO3半导瓷边界层电容器以来,边界层电容器的物......
研究了施主掺杂量，烧成后的冷却条件、氧化温度对SiTiO[*v3*]半导化的影响。施主添加量和高温烧结后冷却时的边界氧化是获得良好性......
选用α-SiC(4-10μm)作为主晶相,SiO2-CuO作为晶界绝缘层,以两步包裹法制备SiC-SiO2-CuO复合颗粒。干压成型后,在不同温度下常压烧......
选用导热性能优良、半导化的(-SiC作为边界层电容器基体材料,利用氧化铝、滑石、粘土和长石组成的低共熔混合物作为晶界绝缘材料,......
SiC通常被用作磨料磨具行业，SiC陶瓷材料本身的介电常数很低（～10），通常被认为不适合作电容器材料。但由于其具有半导性和良好的导热性，近......
