【摘 要】
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选用α-SiC(4-10μm)作为主晶相,SiO2-CuO作为晶界绝缘层,以两步包裹法制备SiC-SiO2-CuO复合颗粒。干压成型后,在不同温度下常压烧结制得边界层电容器。采用SEM、XRD及密度测
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选用α-SiC(4-10μm)作为主晶相,SiO2-CuO作为晶界绝缘层,以两步包裹法制备SiC-SiO2-CuO复合颗粒。干压成型后,在不同温度下常压烧结制得边界层电容器。采用SEM、XRD及密度测试等手段对烧结品进行性能分析。结果发现:1300℃为最佳烧结温度,该温度下最高介电常数(ε)为713100;电容器具有正的介温系数,介电常数在50℃附近急剧增大,而介质损耗(tanδ)在该温度点急剧降低,60℃之后两者均趋于稳定,这可能与界面处产生的空间电荷极化有关;电容器具有强烈的频率色散效应。
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