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MOCVD TiN薄膜厚度漂移对于W填充能力的影响
在大规模集成电路的制造过程中,MOCVD TiN因为其优良的覆盖性能和一致性而被广泛用作W和Al材料的扩散阻挡层和连接层材料.本文介绍......
期刊
大规模集成电路
MOCVD-TiN
薄膜厚度
漂移
钨填充
连接层材料
MOCVD TiN
Thickness
W
gap fill
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