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钨填充相关论文

MOCVD TiN薄膜厚度漂移对于W填充能力的影响

在大规模集成电路的制造过程中,MOCVD TiN因为其优良的覆盖性能和一致性而被广泛用作W和Al材料的扩散阻挡层和连接层材料.本文介绍......

期刊

大规模集成电路 MOCVD-TiN 薄膜厚度漂移钨填充连接层材料 MOCVD TiN Thickness W gap fill

氮等离子体处理的抑制用于改善钨填充（英文）

在体钨生长过程中使用原位氮等离子体处理成功实现了无孔洞钨填充。通过氮等离子体处理,钨转化成了氮化钨,其作为抑制剂引起结构顶......

期刊

钨填充孔洞氮等离子体处理氮化钨薄膜延迟时间乙硼烷(B2H6)

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