逆导型IGBT相关论文
逆导型IGBT（RC-IGBT）是一种新型功率半导体器件，实现了IGBT和续流二极管的片内集成，具有体积小、成本低、功率密度高、正温度系数、良......
600V IGBT(Insulated-Gated Bipolar Transistor)产品广泛应用于电磁炉、微波炉、变频空调、UPS等消费电子中,需要反向并联二极管,......
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一种利用MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)驱动BJT(Bipola......
绝缘栅双极型晶体管(InsulatedGateBipolarTransistor,IGBT)具有开关频率高,导通压降小,驱动电路简单等优势,目前已成为中高压功率......
提出了一种具有三明治集电极结构的半超结RC-IGBT(SSS-RC-IGBT),该结构通过在N+buffer层和P+/N+集电区之间引入高阻N-layer,增大了......
在现代的电力电子系统中IGBT（Insulate-gated Bipolar Transistor）常常需要与反向并联的快恢复二极管（Fast Recovery Diode，简称为FRD）......
与普通IGBT模块不同,逆导型IGBT（RC-IGBT）在同一个芯片上集成了二极管与IGBT,增强了相同封装面积的电流承受能力.同等电气参数和封装......
该文概述垂直型RC-IGBT自发明以来的主要发展和当前的主要研究问题,包括:IGBT正向输出特性的Snap-back抑制、RC-IGBT关断及二极管......
绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)因具有高输入阻抗、低控制功率、驱动电路简单、开关速度快、导通压......
随着轨道交通的蓬勃发展,作为牵引传动系统中重要组成部分的四象限变流器对开关器件的功率密度和可靠性提出了更高的要求。基于硅......
逆导型绝缘栅双极型晶体管（Reverse-Conducting Insulated Gate Bipolar Transistor,RC-IGBT）实现了绝缘栅双极型晶体管（Insulated Ga......
逆导型IGBT打破了普通IGBT+反并联二极管的单体封装模式,通过P区反掺杂技术在模块内部形成反向集成二极管,可以提高33%的模块功率......
随着薄片工艺等制造技术的发展,在场阻止型的绝缘栅双极型晶体管(Field-Stop Insulated Gate Bipolar Transistor, FS-IGBT)的背面......
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),作为第三代电力电子产品,是当前功率半导体中最重要的器件之一。IGBT以其优秀的综合性......
