IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),作为第三代电力电子产品,是当前功率半导体中最重要的器件之一。IGBT以其优秀的综合性能广泛应用于家用电器、交通运输、电机控制、智能电网等诸多领域。自发明以来,小型化、集成化一直是IGBT的一个重要发展趋势。在很多应用场合中,IGBT通常需要反向并联一个二极管来实现续流,由于处于不同的封装中,不可避免地引入了寄生电阻、电感等,影响电路性能。单片集成二极管的RC IGBT可以消除这些寄生参数的影响,提高器件的可靠性。由于我国的IGBT起步较晚,制造工艺相对落后,RC IGBT产品都是如英飞凌、ABB等国外大公司推出的。国内至今没有自主品牌的产品,相关学术研究也非常缺乏。本文基于此,进行1200V RC Trench IGBT的设计与分析,为进一步的研究以及生产制造提供参考。本文主要内容如下:1、结合Trench IGBT理论,对RC Trench IGBT进行介绍,分析其工作原理、Snapback现象、正向阻断情况以及开关特性。从原理和模型出发,深入研究影响RC IGBT的Snapback现象的原因并提出解决方案。2、设计1200V RC Trench IGBT的工艺流程,通过增加一张掩膜板来完成集电极N型区域的制造。结合工艺,进行RC Trench IGBT的元胞结构、终端结构以及版图的设计。所设计的1200V RC Trench IGBT不存在Snapback现象,击穿电压满足设计要求,导通压降低于2.5V,阈值电压4V-5.5V。