量子限制Stark效应相关论文
金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法制备InGaN/GaN多量子阱结构时,在GaN势垒层生长的N2载气中引入适量H2,能够有效改善阱/垒界面质量......
胶体量子点(Quantumdots，简称QDs)由于性能稳定、尺寸可控、分散性好等特点，使得它在光电子器件和生物标记等领域有着广泛的应用前景......
学位
该论文研究了晶格匹配型GaAs/AlGaAs超晶格量子阱电极的光电化学行为.在设计生长了几种适于光电化学研究的超晶格量子阱电极的基础......
在特殊设计的三势垒双势阱结构中,利用来自发射极的电子注入和电子向收集极的共振隧穿逃逸调控量子阱不同子能级上的填充状态,发现......
期刊
InGaN系绿光LED的量子阱结构具有较高的In含量,InN与GaN之间较大的晶格失配度使得绿光器件的量子限制Stark效应更显著。对内建电场......
