胶体量子点(Quantumdots，简称QDs)由于性能稳定、尺寸可控、分散性好等特点，使得它在光电子器件和生物标记等领域有着广泛的应用前景。量子调控提出了对小量子体系的发光性质、光谱特性和分子体系的光电效应中的电荷输运及能量转化动力学的研究，对胶体量子点的荧光和吸收光谱以及Stark效应的研究正是这一背景下产生的。其中胶体量子点在量子点激光器和电致发光等光电器件中的应用是目前的研究热点。本论文主要研究CdSe/ZnS胶体量子点的光学特性及其在量子点激光器、电致发光器件和光电转化器件中的应用。　　 半导体工艺制备工艺的日趋成熟，推动了量子阱、量子点激光器的快速发展，与此同时，胶体量子点在激光器中的应用引起广泛的研究兴趣。实验中以CdSe/ZnS胶体量子点及DBR反射镜构建光学微腔，通过对吸收谱线及光致发光谱线的测量，发现了微腔对量子点发光的抑制和增强效应;通过荧光衰减谱线实验上分析微腔对光子发光寿命的调制。采用传输矩阵方法计算了微腔内的谐振峰的强度和位置;研究了微腔内光子态密度的变化，理论结合实验分析了微腔对激子的辐射跃迁和非辐射跃迁影响。　　 胶体量子点由于其独特的光学性质在LED发光器件中有着广泛的潜在应用。试验中以CdSe/ZnS∶PVK膜为发光层制备电致发光器件，通过变温、变压测量研究器件的电学和光学性质。在变温和变压测量过程中发现了明显的电致发光谱线的红移现象，实验上排除红移是由于焦耳热产生，而主要由于电场作用电子-空穴对的偏移产生。通过不同掺杂浓度的电致发光器件的发光谱线测量，均观察到均测量明显的量子限制Stark效应。理论上分析电致发光器件的能级结构，研究了掺杂浓度对量子点量子限制Stark效应及电致发光器件发光效率的影响。　　 理论研究表明半导体量子点具有明显的量子限制Stark效应，虽然半导体量子阱量子限制Stark效应器件已经获得应用，但实验上很难观测到单个量子点的Stark效应，我们首次提出高掺杂浓量子点光电器件的制备，通过对吸收谱线和荧光谱线的测量，研究了电场作用下胶体量子点量子限制Stark效应，且Stark位移随场强的增强而增大。同时选用了不同尺寸的CdSe量子点制备成光电器件，在外场作用下均观测到量子限制Stark效应，研究了在恒定场强下斯塔克位移的大小与量子点尺寸的关系，结合理论结果分析了量子点尺寸对量子限制斯塔克效应的影响。