通过对高纯、细晶Al2O3陶瓷金属化层、金属化层被酸腐蚀后的陶瓷表面显微结构及金属化层中元素在金属化层与陶瓷中的分布情况分析,......

用Mo-Mn-Ti-Si-Al系统膏剂金属化两种氧化铝陶瓷材料.封接强度实验结果表明,Mo-Mn-Ti-Si-Al系统膏剂不适宜高纯AlO陶瓷的金属化封......

采用活化钼-锰路线，使用72Ag28Cu（质量分数，下同）钎焊制备了高纯Al2O3陶瓷／不锈钢接头。利用SEM对金属化陶瓷的显微结构、元素分布进行......

本文从低介电损耗、细晶Al2O3陶瓷的材料性能及其封接件焊接性能、疲劳可靠性、高温Mo-Mn金属机理四个方面,综合介绍了细晶Al2O3陶......

用Mo-Mn-Ti-Si-Al系统膏剂金属化两种氧化铝陶瓷材料。封接强度实验结果表明,Mo-Mn-Ti-Si-Al系统膏剂不适宜高纯Al2O3陶瓷的金属化......

本文研究了活化Mo-Mn法陶瓷金属化机理,确定了活化剂中MnO≥40%(wt)时金属化层中以及界面上存有MnO·Al_2O_3物相,而MnO≤30%......

通过对高纯、细晶Al2O3陶瓷金属化层、金属化层被酸腐蚀后的陶瓷表面显微结构及金属化层中元素在金属化层与陶瓷中的分布情况分析,......

采用活化Mo-Mn法对镁铝尖晶石陶瓷进行了金属化封接实验，并通过对镁铝尖晶石陶瓷金属化层的显微结构及金属化层中元素在金属化层与......

为了促进真空电子器件的应用,氧化铝陶瓷及其表面金属化得到广泛的关注和研究。本文以氧化铝陶瓷及其表面金属化为研究对象,通过添......

采用BaO-Al2O3-SiO2(BAS)微晶玻璃的母体玻璃作为烧结助剂,在氧化铝陶瓷表面低温烧结Mo金属化层。研究了金属化烧结温度及BAS含量......

随着科技的不断发展,真空电子器件进入大功率、超高频、长寿命的领域,传统的玻璃与陶瓷封接已不能达到真空电子管制作的要求,另外......

采用活化Mo-Mn法对99％氧化铍陶瓷进行了金属化实验和抗拉强度实验.封接强度实验结果表明,活化Mo-Mn法适合99％氧化铍陶瓷金属化封接,......