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该文主要研究两个方面的问题:一是采用金属离子注入形成硅化物肖特基结,对其形成的工艺条件进行了探索;二是对 pt/Ti/Si多层金属形......
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采用 Schottky结源漏结构是克服传统 MOSFET器件短沟效应的一种有效方法。不同于常规的固相反应形成硅化物的方法 ,该文利用金属蒸......
采用由金属蒸汽真空弧离子源引出的强束流钛、碳离子对H13钢进行表面改性研究.钛和碳离子注入剂量分别为3×1017和1×1017 cm-2,引......
提高金属蒸汽真空弧（Metal vapor vacuum arc，MEVVA）离子源注入机的注入效率，大幅度降低注入成本是MEVVA源离子注入技术实用化的关键。......
会议
作者利用中国第一台金属蒸汽真空弧离子源(MEVVA源)引出的钼离子对HI3钢进行了不同束流密度下的离子注入。根据此源的特点,提出了......
采用磁过滤MEVVA沉积技术以石墨为阴极在几种衬底表面(单晶硅、不锈钢和工具钢等)上制备高质量类金刚石(DLC)薄膜.实验结果表明,沉......
