金属诱导结晶相关论文
本文用X射线衍射方法(XRD),四探针薄层电阻测试(FPP)等方法研究了Ni与PVD制备了非晶SiGe的反应特性.......
半导体量子点结构中载流子(如电子、空穴和激子)强量子限制作用使得其电学和光学性质发生了很大的变化，有望在单电子器件、光电子器......
低温制备的多晶Si、SiGe薄膜在大面积电子器件中具有广阔的应用前景,由于其与非晶Si、SiGe薄膜材料相比具有更高的载流子迁移率,尤......
分析了金属Ni、Al诱导非晶Si及非晶SiGe薄膜结晶的条件、特点和机理。简要介绍了金属诱导结晶相对于其它一些结晶工艺的优势及其在......
研究低温下利用金属Al对非晶Ge薄膜进行层交换结晶生长多晶Ge薄膜的动力学过程。实验观察到Ge原子从非晶Ge层穿过中间很薄的Ge〇x......
本文主要研究金属诱导横向结晶速度与工艺条件的关系,探讨隐含在这些关系背后的制约因素.研究发现金属诱导横向结晶速度在长时间退......
金属诱导横向结晶技术制备的多晶硅薄膜具有晶粒尺寸大且不随薄膜厚度而减小的特点,本文根据这一特点提出利用超薄沟道结构提高薄......
采用Ni诱导结晶的方法在氧化硅衬底上制备多晶SiGe薄膜．通过X射线衍射(XRD)、俄歇电子深度分布谱(AES)等测试方法对获得的多晶SiGe......
为了能定性定量解释金属诱导非晶硅薄膜结晶实验中所遇到的一系列现象，提出一套扩散诱导结晶模型，成功地解释现有实验中的各种现象。......
