金属-肖特基势垒场效应晶体管相关论文
分别采用挖槽工艺和平面选择离子注入自隔离工艺对GaAs MESFET Vth(阈值电压)均匀性进行了研究.结果表明,采用平面工艺方法获得的G......
采用一种直接估算微波GaAs MESFET源电阻Rs的方法.理论根据是反馈导纳的实部主要是由源电阻和栅电阻引起的,由此推导出Rs相关的解......
用波长范围为700 nm到3500 nm的光电流测试系统研究了SI-GaAs衬底、有源层和MESFET中的深能级。结果显示在SI-GaAs衬底、有源层和M......
期刊
