金属-肖特基势垒场效应晶体管相关论文
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采用一种直接估算微波GaAs MESFET源电阻Rs的方法.理论根据是反馈导纳的实部主要是由源电阻和栅电阻引起的,由此推导出Rs相关的解......
用波长范围为700 nm到3500 nm的光电流测试系统研究了SI-GaAs衬底、有源层和MESFET中的深能级。结果显示在SI-GaAs衬底、有源层和M......
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