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分别采用挖槽工艺和平面选择离子注入自隔离工艺对GaAs MESFET Vth(阈值电压)均匀性进行了研究.结果表明,采用平面工艺方法获得的GaAs单晶MESFET Vth均匀性与采用挖槽工艺相比,更能反映单晶材料质量的实际情况,GaAs单晶MESFET Vth均匀性研究宜采用平面工艺.
不同工艺下GaAs MESFET阈值电压均匀性的研究
【摘 要】
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分别采用挖槽工艺和平面选择离子注入自隔离工艺对GaAs MESFET Vth(阈值电压)均匀性进行了研究.结果表明,采用平面工艺方法获得的GaAs单晶MESFET Vth均匀性与采用挖槽工艺相
【机 构】
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中国科学院上海冶金研究所
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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2001年4期
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