铟组分相关论文
使用金属氧化物化学气相沉积技术生长镁重掺杂的InGaN合金从而得到p型InGaN,然后采用XRD技术对InGaN合金的铟组分进行测定,测得铟......
会议
本文分析了低压转盘MOCVD生长室中气流的流动特征，首次提出了在高温（700℃左右）下生长InGaAlP外延层时，抑制In组分脱吸附的“动压力模......
