铟铝砷相关论文
通过提高量子点材料的质量和优化量子点激光器材料的结构 ,研制出高质量的应变自组装 In Al As/Al Ga As/Ga As量子点材料和低温连......
通过提高量子点材料的质量和优化量子点激光器材料的结构,研制出高质量的应变自组装InAlAs/AlGaAs/GaAs量子点材料和低温连续激射......
通过提高量子点材料的质量和优化量子点激光器材料的结构，研制出高质量的应变自组装InAlAS/AlGaAs/GaAs量子点材料和低温连续激射的......
报道了MBE技术生长的GaAs基InAlAs/InGaAs改变结构高电子迁移率晶体管（MHEMT）的制作过程和器件的直流性能。对于栅长为0.8μm的器件，......
利用ＭＢＥ方法在（００１）衬底上成功地生长密度大、尺寸小、发红光的ＩｎＡｌＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子点结构。通过原子力显微镜观察表明，ＩｎＡｌＡｓ量子的密度和大小都随覆盖厚度的增加......
