铟镓砷磷相关论文
本文介绍了我们研制的1.3微米波长铟镓砷磷大光腔结构半导体激光器的制作及其部分主要光电特性。该器件由于采用大光腔结构,脉冲输......
对与InP晶格匹配的InGaAsP四元系量子阱材料进行了热稳定性的研究,通过光荧光谱的测量发现:量子阱材料在650℃以上的常规退火条件下,有最大可达155meV的PL峰......
采用湿法化学腐蚀在气洙MBEInGaAsP多量子阱材料上制作了微盘型激光器,直径8μm的微盘激光器表现出很好的单模激射特性,阈值泵浦功率为170μW,激射线宽......
InP、InGaAs P等Ⅲ-Ⅴ族半导体材料具有电子迁移率高、禁带宽度大、多数为直接跃迁带隙材料等特性,可用于制备高速、高频半导体器......