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采用湿法化学腐蚀在气洙ＭＢＥＩｎＧａＡｓＰ多量子阱材料上制作了微盘型激光器，直径８μｍ的微盘激光器表现出很好的单模激射特性，阈值泵浦功率为１７０μＷ，激射线宽为１．５ｎｍ．以微腔激光器的宽激射线宽作了初步分析。
InGaAsP多量子阱微盘激光器
【摘 要】
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采用湿法化学腐蚀在气洙ＭＢＥＩｎＧａＡｓＰ多量子阱材料上制作了微盘型激光器，直径８μｍ的微盘激光器表现出很好的单模激射特性，阈值泵浦功率为１７０μＷ，激射线宽为１．５ｎｍ．以微腔激光器的宽激射线宽作了初步分析。
【机 构】
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中国科学院长春物理研究所中国科学院激发态物理开放实验室
【出 处】
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红外与毫米波学报
【发表日期】
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1998年5期
【基金项目】
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国家自然科学基金,中国科学院“九五”重大项目,中国科学院院长基金,集成光电子学国家重点联合实验室资助
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