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硅基锗光电探测器是在硅基光电子集成电路中使用最广泛的光探测器件,但是由于锗的带隙限制,传统探测器越来越难以满足飞速发展的生......
Ⅳ族Sn化合物主要包括锗锡(Ge1-xSnx)二元合金和锗硅锡(Ge1-x-ySixSny)三元合金。其中,Ge1-xSnx合金通过调节Sn组份,可以实现硅基......
Ⅳ族Sn化合物主要包括锗锡(Ge1-xSnx)二元合金和锗硅锡(Ge1-x-ySixSny)三元合金。这种Ⅳ族材料在硅基激光器、调制器、中红外探测......
硅基IV族锗锡和锗铅合金材料带隙随组分可调,并可转变成直接带隙半导体材料,是研制硅基红外探测和发光器件的理想材料。本文首先介......
锗锡（Ge Sn）合金的禁带宽度在00.66 e V内连续可调,并且当Sn组分大于6.7%时可转变为直接带隙半导体,理论上利用Ge Sn合金可以将硅（Si）......
随着集成电路工艺技术的迅速发展,MOSFET器件的特征尺寸逐渐缩小且越来越接近物理极限,此时短沟道效应的出现对传统MOSFET器件的性......
随着集成电路产业高速发展,超大规模集成电路发展过程中的性能提升和功耗难题是当前业界的首要挑战。由器件动态功耗构成可知,在保......
隧穿场效应晶体管(Tunneling Field-effect Transistor,TFET)在室温下可实现60 mV/decade的亚阈值摆幅(SS),在超低工作电压下,比如......
