GaAsN相关论文
利用显微光致发光技术,观测到了N含量为0 .1 %,0 .22 %,0 .36 %和0 .62 %的GaAsN合金的E_0, E_0+Δ_0和E+能级的光致发光峰.共振喇......
为研究GaAsN/GaAs量子阱在电子束辐照下的退化规律与机制,对GaAsN/GaAs量子阱进行了不同注量(1×1015,1×1016 e/cm2)1 MeV电子束......
利用显微光致发光技术,观测到了N含量为0.1%,0.22%,0.36%和0.62%的GaAsN合金的E0,E0+△0和E+能级的光致发光峰.共振喇曼散射谱进一......
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