物联网行业的发展使超低功耗器件的需求愈加强烈。隧穿场效应管（Tunnel Field-Effect Transistor,TFET）因其超陡亚阈摆幅（Subthreshol......

集成电路的发展一直遵循摩尔定律快速前进,随着晶体管的数量不断增加,同时芯片的性能也在不断提高。目前集成电路的尺寸已经进入纳......

纳米尺度MOSFET器件的按比例缩小面临着诸多挑战,采用高迁移率材料作为沟道的MOSFET器件或者采用基于隧穿原理工作的TFET器件将有......

通过第一性原理计算，我们研究了被五种过渡金属原子吸附的硅烯的几何结构和能带性质，并进一步同时利用第一性原理和半经验方法计算了......

近几十年来,芯片的生产工艺已经从60纳米发展到了7纳米,纳米级电子器件的发展前景越发的明朗。电子信息系统的推陈出新,半导体技术......

二碲化钨(WTe_2)作为一种类石墨烯的新型过渡性金属硫化物材料,具有较高的载流子迁移率,在纳米场效应管领域具有较大应用前景。本......

随着器件尺寸的缩小和集成度的不断提高,电子器件的发展正遭遇功耗以及尺寸极限等瓶颈。为突破这些瓶颈,许多新型的电子器件模型应......

为解决现有隧穿场效应管(TFET)开态电流相对较低的问题,设计一种以石墨烯异质结为导电沟道的新型TFET器件。根据石墨烯条带导电性......

基于隧穿场效应管（TFET)P-I-N结构，考虑在源区与沟道之间施加一段与源区掺杂性质相反的高掺杂区（PNIN-TFET),加大源区到沟道的转变，提......