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MOS界面钝化相关论文
新型GeSn材料及相关场效应器件关键技术研究
纳米尺度MOSFET器件的按比例缩小面临着诸多挑战,采用高迁移率材料作为沟道的MOSFET器件或者采用基于隧穿原理工作的TFET器件将有......
学位
GeSn合金
能带结构
MOS界面钝化
隧穿场效应管
应变工程
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