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利用超薄SiO作缓冲层，在Si(100)衬底上成功地制备了高度c取向的PZT薄膜，SiO的厚度对PZT薄膜的单相单一取向性有重要影响。所得PZT薄......
该论文研究了利用磁控溅射原位法在SrTiO(100)基片上制备高质量的pb(ZrTi)O(PZT)薄膜及PZT/YBaCuO(YBCO)集成薄膜的工艺,集成薄膜......
利用磁控溅射原位制备了铁电体pb(Zr,TI)O(PZT)薄膜、PZT/YBaCuO(YBCO)集成薄膜和铁电体BaTiO基片上的YBCO薄膜.......
该论文研究了利用磁控溅射原位法在STO基片上制备高质量的LaSrCuO系列薄膜及PZT/LSCO集成薄膜的工艺.利用AFM,SEM,TEM观察了薄膜的......
该论文利用透射电镜对SrTiO/GdBaCuO集成膜和TlBaCaCuO薄膜的微结构进行了分析和研究....
该论文在成功地制备高质量的取向生长的PZT/SiO/Si集成薄膜的基础上,针对不同的工艺条件,对集成薄膜的结构和性能进行了系统的测试......
用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si（001）基片上制备了BiFe（0.95）Mn（0.05）O3/Pb（Zr（0.4）Ti（0.6））O3/BiFe（0.95）Mn（0.05）O3（BFMO/PZT/BFMO）集成薄膜,采用X射......
本文介绍了带有埋置式集成薄膜无源元件的多芯片组件的研究现状,其中包括MCM集成无源元件的研制方法、材料和工艺的选择和优化及MC......
