【摘 要】
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该论文研究了利用磁控溅射原位法在STO基片上制备高质量的LaSrCuO系列薄膜及PZT/LSCO集成薄膜的工艺.利用AFM,SEM,TEM观察了薄膜的形貌和内部微观结构.LSCO薄膜超导电性好,表
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该论文研究了利用磁控溅射原位法在STO基片上制备高质量的La<,2-x>Sr<,x>CuO<,4>系列薄膜及PZT/LSCO集成薄膜的工艺.利用AFM,SEM,TEM观察了薄膜的形貌和内部微观结构.LSCO薄膜超导电性好,表面平整度高,同部结构完整,有利于PZT的外延生长.实验发现LSCO薄膜的超导电性受氧缺陷影响,提高溅射时的氧氩比,有利于提高超导温度,且C轴长减小,LSCO薄膜的氧含量,超导电性,晶格常数之间相互联系.PZT/LSCO集成薄膜具有较高的介电常数,利用X射线镜面反射法及TEM研究了PZT/LSCO集成薄膜的表面和界面状况,发现PZT与LSCO之间存在一个几十埃的过渡层,此过渡层对LSCO的超导电性和PZT薄膜的介电性能有影响.同时发现PZT/LSCO集成薄膜的表面粗糙度随PZT膜厚的增加而下降,这有利于集成薄膜的实用性研究.而LSCO的C轴长增加随PZT膜厚的增加而增加.
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