本文主要研究高剂量氧离子 (1 4～ 2 5× 10 1 8/cm2 )注入Si (10 0 )中 ,形成SOI SIMOX材料的表面Si单晶薄层的电学性能。用扩展电......

研究了非掺杂半绝缘ＬＥＣ ＧａＡｓ霍耳参数温度关系，研究结果表明，杂 缺陷的不均匀分布引起的电势波动对霍耳测量结果有明显影响，存在电势波动的......