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Cypass半导体公司最近公布了其受人关注的MRAM产品技术规范的第一个版本,即2款64位和256位MRAM存储芯片的技术白皮书。按照上面的......
Saifun Sem iconductors进一步扩展其高密度EEPR O M产品系列的阵容,推出全新SA25C0202M B SPI EEPR O M,是业界首个结合小型SO8封......
闪速存储器(Flash Memory)是指电擦除可编程只读存储器EEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM),其主要特征是采用非挥发......
闪速存储器(Flash Memory)是由Intel最先提出来的,这是一种非挥发性存储技术,即掉电后数据信息可以一直保持下去,除非给它一个大......
非挥发性随机存储器(NVRAM)因具有外加电源消失后储存的信息并不消失的优点,近年有广泛的研究。NVRAM主要包括铁电存储器(ReRAM)、......
随着半导体技术的快速发展，到2016年时，传统的存储器件尺寸将发展到22 nm。这些存储技术依赖于电荷存储，随着器件尺寸的不断缩小和密......
本文采用最优的工艺参数，利用顶部下晶助熔剂方法，从中频加热炉中生长出无明显宏观缺陷、光学均匀性好的锌铁和锰铁双掺杂近化学......
在Mn:Fe:LiNbO3(Mn:Fe:LN)中掺进不同摩尔分数In2O3,用提拉法生长In:Mn:Fe:LN晶体.测试了晶体的红外光谱,发现:3%In:Mn:Fe:LN晶体O......
