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有机电子学由于其低成本、柔性、可大面积制备等优势在有机射频标签、传感器、大面积显示等领域受到广泛关注。有机场效应晶体管(OFETs)是有机半导体领域最重要的基本单元之一,而低操作电压,多功能的OFETs及其集成电路是目前研究的热点,本论文围绕着降低OFETs操作电压,开发功能型OFETs,制备基于OFETs的集成电路几个方面开展了以下的工作：1)、降低OFETs的工作电压：采用超薄无机介质层和单层有机自组装层修饰界面的方法,制备了工作电压低于5V,迁移率达到1.29cm2V-1s-1的OFETs器件。2)、研究了OFETs的光响应特性：对OFETs的光致回滞效应进行了系统的研究,分别对以Si02和OTS/SiO2为介质层,并五苯为有机半导体材料的OFETs光致回滞效应进行了研究,发现可以通过并五苯薄膜颗粒大小,起始扫描栅电压,采用不同的绝缘介质层等来调控OFETs光致回滞窗口。最后,基于跃迁传输理论,建立了OFETs的阈值电压模型,在阈值电压模型的基础上,建立了OFETs光致回滞窗口的模型,发现了影响OFETs光致回滞窗口大小的参数。通过起始扫描栅电压,半导体载流子的能量无序度等可以调控OFETs光致回滞窗口。3)、基于OFETs的非挥发性存储器：对浮栅型OFETs存储器进行了深入研究,提出了一种新的光助编程的方法。我们以并五苯为有源层,以PMMA为隧穿介质层,金纳米晶为浮栅存储层,Si02为阻挡介质层,制备了纳米晶浮栅型OFETs存储器,采用传统的编程方法,存储窗口为18V,存储开关比为102。采用光助编程的方法,存储窗口提高到63V,存储开关比提高到105,最长数据保持时间达到107秒。4)、对有机电路中最重要的基础电路有机整流器和有机门电路进行了研究。首先对有机整流器中的有机二极管界面效应对二极管性能的影响进行了研究,发现采用CuTCNQ修饰Cu电极作为二极管的阳极时器件的整流比可以达到106,整流频率可以达到13.56MHz,基本满足了商业应用的需求。接着对有机二极管和电容组成的有机整流器集成技术进行了研究,通过光刻和镂空掩膜的技术相结合,制备了集成的有机整流器,通过优化器件参数,制备工艺,制备的有机整流器整流频率在空气中达到1MHz。利用光刻技术制备了顶接触的OFETs器件,利用光刻技术制备的OFETs易于集成,而且性能可以与镂空掩膜技术制备的顶接触OFETs相比。分别采用COMS和PMOS的电路结构,利用光刻制备技术和镂空掩膜制备技术,底栅顶接触的OFETs和顶栅底接触的OFETs器件结构,采用多种路线制备了有机门电路：反相器、与非门和或非门。