采用非晶态多核配合物作为前驱体的方法在单晶硅表面成功地制备了钙钛矿型的复使饷氧化物Ｇｄ２ＣｕＯ４薄膜，ＸＰＳ研究表明所制备出的薄腊由Ｇｄ２ＣｕＯ４复合金属氧......