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采用非晶态多核配合物作为前驱体的方法在单晶硅表面成功地制备了钙钛矿型的复使饷氧化物Gd2CuO4薄膜,XPS研究表明所制备出的薄腊由Gd2CuO4复合金属氧化物组成。XRD研究表明经600℃热处理形成的复合氧化物薄膜以钙钛矿型晶相结构存在,也进一步证实了所制备出的薄膜是Gd2CuO4复合金属氧化物,其晶料大小在20nm左右。俄歇电子能谱的深度剖析表明形成的薄膜组成均匀,在界面上有一定程度的扩散作用