非晶态碲镉汞相关论文
研究了非晶态碲镉汞(x=0.2)薄膜的暗电导率随温度变化关系,发现非晶态结构的碲镉汞材料具有明显的半导体特性,其室温禁带宽度在0.8......
采用椭圆偏振光谱技术研究了非晶态碲镉汞薄膜在不同退火条件下的结构性能。结果表明非晶态碲镉汞薄膜在退火过程中的成核晶化是在......
采用椭圆偏振光谱技术研究了射频磁控溅射生长非晶态碲镉汞(amorphous Hg1-xCdxTe,amorphous MCT,a-MCT)薄膜的光学性质,发现非晶......
利用射频溅射方法制备了非晶态Hg_(1-x)Cd_xTe薄膜(x=0,0.22,0.50,0.66,1),在80 K~300 K温度范围内,研究了Cd组分x对暗电导的影响......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
采用椭圆偏振光谱技术研究了非晶态碲镉汞薄膜在不同退火条件下的结构性能.结果表明非晶态碲镉汞薄膜在退火过程中的成核晶化是在......
利用射频溅射方法制备了非晶态Hg1-χCdχTe薄膜（χ=0，0．22，0．50，0．66，1），在80K~300K温度范围内，研究了Cd组分χ对暗电导的影响。当温度T〉210......
在玻璃衬底上用射频磁控溅射技术进行了非晶态碲镉汞（α-HgCdTe或α-MCT）薄膜的低温生长,获得了射频磁控溅射生长α-HgCdTe薄膜的“......
采用椭圆偏振光谱技术研究了非晶态碲镉汞薄膜在不同退火条件下的结构性能。结果表明非晶态碲镉汞薄膜在退火过程中的成核晶化是在......
研究了非晶态碲镉汞（x=0.2）薄膜的暗电导率随温度变化关系,发现非晶态结构的碲镉汞材料具有明显的半导体特性,其室温禁带宽度在0.88～0......
采用椭圆偏振光谱技术研究了射频磁控溅射生长非晶态碲镉汞（amorphous Hg1-x CdxTe，amorphous MCT，a—MCT）薄膜的光学性质，发现非晶态碲......
在玻璃衬底上用射频磁控溅射技术进行了非晶态碲镉汞（a-HgCdTe,a-MCT）薄膜的低温生长.采用X射线衍射（XRD）和原子力显微（AFM）技术对所生长......
