随着摩尔定律的放缓和冯·诺依曼瓶颈带来的限制,传统的硅基存储器面临着严重的工艺技术引起的物理尺寸限制。阻变存储器具有结构......

非晶InGaZnO（a-IGZO）薄膜在制备过程中形成的缺陷和弱键以陷阱态的形式非均匀分布在a-IGZO的带隙中，这些陷阱态会俘获栅压诱导的电荷，......

利用等离子体辅助的脉冲激光沉积技术在c面蓝宝石衬底上,在室温条件下制备了非晶InGaZnO薄膜,在其基础上制备了金属-半导体-金属结......

相比于非晶硅(amorphous silicon,a-Si)和多晶硅(polysilicon,poly-Si)薄膜晶体管(Thin-Film Transistors,TFTs),以非晶InGaZnO(a-......

非晶氧化物薄膜晶体管(Thin Film Transistors, TFTs)，特别是非晶铟镓锌氧薄膜晶体管(a-IGZO TFTs)被普遍认为可替代传统的非晶硅薄......