InGaN/GaN量子阱已被广泛应用于蓝色、绿色甚至黄色光谱范围的发光二极管（LEDs）和激光器二极管（LDs）。但是,当发射波长从蓝光转变到绿......

反向击穿电压是反映LED芯片特性的重要参数，通过对比成管在老化一定时间后漏电流的变化，发现反向击穿电压低的芯片封装的成管更容易......

使用金属有机化学气相沉积(metal organic chemical vapor deposition,MOCVD)方法生长了三个具有不同垒层温度的InGaN/GaN量子阱。......

近年来,半导体纳米粒子的研究越来越受到人们的重视.由于纳米粒子中的量子限制效应,半导体纳米粒子可以呈现许多独特的光学和电学......

对1 MeV电子辐照GaAs/Ge太阳电池在30~290K温度范围进行了变温光致发光光谱测量,分析了辐照电池样品的发光峰位、发光强度随温度的......

为进一步探究电子辐射GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池GaAs中间电池的热淬灭效应,对该子电池进行了温度及功率变化光致发光谱测量,分析......

氮化镓材料中的位错是制约GaN发光器件及电子器件的性能的一个关键因素.目前对于氮化镓材料中的位错的研究是一大热点.扼要综述了......