内量子效率相关论文
为了提高AlGaN基深紫外发光二极管（light emitting diode， LED）的内量子效率（internal quantum efficiency， IQE），本文采用了基于InAlGaN/......
聚3-己基噻吩（P3HT）以其合成工艺简单、成本低廉的优势，成为有机光伏领域中最具吸引力的电子给体材料之一。然而，目前P3HT:非富勒烯太......
为了提高发光二极管(LED)的发光效率,在LED出光面放置金属光栅,采用时域有限差分法进行了理论分析和模拟计算.结果表明,对光栅优化......
近年来,GaN基绿光激光二极管的光电性能取得了很大的改善,在激光打印、激光测量、激光显示、激光照明以及通信等领域有着重要的应......
InGaN/GaN量子阱已被广泛应用于蓝色、绿色甚至黄色光谱范围的发光二极管（LEDs）和激光器二极管（LDs）。但是,当发射波长从蓝光转变到绿......
开发了一种由溅射AlN层和中温GaN层组成的复合成核层来提高黄光LED的内量子效率.系统地研究了在溅射AlN成核层和复合成核层上生长......
与传统边发射激光器相比,垂直腔面发射激光器(VCSEL)具有单纵模工作、低阈值、圆形对称光斑、与光纤耦合效率高以及制作成本低等优......
本文设计了一种特定波长(540nm)具有非对称量子垒的InGaN 量子阱(QW)，通过数值模拟，得到量子阱区域的能带图、电子电流分布以及输出......
本文对平带同质结太阳电池内,各空间结区对内光量子效率的贡献,以及总的内量子效率进行了数值计算和分析,发现太阳电池的结区宽度......
为了能够同时提高GaN发光二极管(light emitting diode,LED)的光提取效率和内量子效率,将GaN LED与准对称光波导(包含光栅、Ag薄层......
SiC衬底GaN LED外延薄膜比蓝宝石衬底的缺陷密麦低、晶体制量高，器件电流电压及电流波长特性更稳定。本文通过理论模拟分析7一定内......
目前LED照明的发展非常迅猛，主要得益于LED光源的快速发展和非常好的前景。据报道，今年二月实验室LED光源光效己达208流明/瓦，且色温......
对１．５５μｍ波长的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ光波导和Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ多量子阱（ＭＱＷ）红外探测器的集成器件结构进行了系统的分析和优化设计。优化结果为：１）对Ｓｉ１－ｘＧｅｘ光波导，Ｇｅ含量ｘ＝０．０５，脊宽、高和腐蚀深度分......
以行波放大器速率方程为基础，采用传输矩阵方法，对行波放大器的增益饱和特性进行了理论研究，讨论了增益饱和特性对电流注入水平、腔面......
半导体激光器与电吸收波导调制器是光纤通讯和光信息处理关键有源器件之一．光弹性波导半导体激光器与电吸收波导调制具有工艺简单，有......
实测数据表明：ＧａＰＮ发光二极管（ＬＥＤ）ｐ型层厚度ｄ为１２～１７μｍ时，管芯光强最高．ｄ增大，一方面可使表面复合的影响减小，提高内量子效率；另一方面又会使内吸收增大，降......
广泛用于３００～５００ｎｍ波长范围低功率辐射探测的硅（Ｓｉ）ＰＩＮ光电二极管现在已有竞争对手。德国维尔兹堡大学物理所的研究人员用Ⅱ－Ⅵ族半导体材料硒化锌镁......
介绍ＣｒｙｏＲａｄｌ低温绝对辐射计（ＨＡＣＲ），给出通过激光功率控制器（ＬＰＣ）调制过的Ｈｅ－Ｎｅ激光对所研制的Ｓｉ光电二极管陷阱探测系统进行定标的实验及结果分析
CryoRadl l......
金属纳米粒子由于表面效应和量子尺寸效应，它本身有着非常独特的光学、电特性，将金属纳米粒子埋藏于介质中，由于金属纳米粒子与介质间......
分析了ＡｌＧａＩｎＰ材料的特点和ＡｌＧａＩｎＰ高亮度发光二极管发光效率的决定因素，对目前国际上研究比较成熟的一些典型结构进行了综合分析，从理论上指出ＡｌＧａＩｎＰ发光......
通过建立双异质结型InGaAs探测器光响应的理论模型,分别对正面和背面进光时InP基波长扩展In0.8Ga0.2As/In0.79Al0.21AsPIN探测器结......
以解析公式的推导、位移损伤实验结果以及位移效应的数值模拟结果为基础,分析了位移效应产生的缺陷作为非辐射复合中心和多数载流......
采用软件理论分析的方法对不同掺杂类型的GaN间隔层和量子阱垒层在InGaN/GaN多量子阱双波长发光二极管中对发光光强、内量子效率、......
采用软件理论分析的方法对选择性p型掺杂量子阱垒层在InGaN双波长发光二极管(LED)中的光谱调控作用进行模拟分析.分析结果表明,选......
本文建立了发光二极管(LED)芯片的非等温多物理场耦合模型。结果表明,芯片内热源集中在多量子阱(MQWs)区域,且靠近p-GaN的第一个量......
引入了多量子势垒结构作为发光二极管的电子阻挡层来提高其性能.在非等温多物理场耦合模型下,对芯片的内量子效率、发热特性、光谱......
应变锗材料具有准直接带特性,而且与标准硅工艺兼容,成为实现硅基发光器件重要的候选材料之一.本文基于van de Walle形变势理论,计......
分别用黄色、红色荧光粉和黄色、红色、绿色荧光粉制备了两种高显色指数白光发光二极管（LED）,调整荧光粉的比例使显色指数达到最高。......
采用图形化蓝宝石衬底(PSS)技术可以降低GaN外延层材料位错密度,提高了发光二极管(LED)的内量子效率(IQE),同时使LED光析出率(LEE)......
有机电致磷光材料,由于具有100%的内量子效率,在OLED领域中被广泛应用。为了避免磷光材料本身存在的三线态-三线态激子猝灭导致磷......
针对InGaAs/GaAsP/AlGaAs应变补偿量子阱非对称宽波导结构进行了实验研究。利用不同腔长,100μm发光区,500μm周期的管芯测量了外......
分别在Si(110)和Si(111)衬底上制备了In Ga N/Ga N多量子阱结构蓝光发光二极管(LED)器件.利用高分辨X射线衍射、原子力显微镜、室......
介绍了InGaN紫外探测器的研制过程,并给出了器件的性能。利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法生长GaN外延材料,通过刻蚀、钝化、......
本文将硅(Si)衬底上外延生长的氮化镓(GaN)基发光二极管(LED)薄膜剥离转移到新的硅基板和紫铜基板上,并获得了垂直结构的LED芯片,......
利用金属有机物化学气相沉积技术在蓝宝石衬底(0001)面生长了InGaN/GaN多量子阱结构,并测量了其荧光(PL)光谱的峰位能量和发光效率......
对InGaN量子阱LED的内量子效率进行了优化研究。分别对发光光谱、量子阱中的载流子浓度、能带分布、静电场和内量子效应进行了理论......
表面等离子体具有表面受限性和局域场增强性等特点,可以用来增强发光LED的发光效率。本文根据表面等离子体的特性探讨表面等离子体......
为获得硅陷阱光电探测器在325~980nm区间的绝对光谱响应率和量子效率,采用低温辐射计对这一波段内的11个波长点处的绝对光谱响应率......
量子效率低是制约有机发光二极管广泛应用的重要因素之一。近年来，人们发现基于反系间窜越机制(如图1所示)，新型有机电致发光分......
LED的内量子效率是评价LED性能的重要指标。本报告将介绍目前针对GaN基LED内量子效率的多种评测方法，包括：变温光致荧光方法、变......
随着集成电路产业的发展,研制高性能Si基光电集成电路对于解决集成电路发展的瓶颈问题尤为重要。而锗（Ge）材料由于其直接带与间接带......
氮化物发光二极管(Light-emitting diodes)是当前非常具有发展前景的固态光源,应用于各个领域,如固态照明、平板显示、交通汽车、......
