采用 0 .1 8μm/ 1 .8V1 P6 M数字 CMOS工艺设计并实现了一种用于高性能 32位 RISC微处理器的 6 4 kb四路组相联片上高速缓冲存储......

采用0．18μm／1．8V 1P6M数字CMOS工艺设计并实现了一种用于高性能32位RISC微处理器的64kb四路组相联片上高速缓冲存储器(cache)，当采用......