高κ叠栅相关论文
构成集成电路的主要元件–晶体管尺寸进入45nm工艺节点后，栅介质氧化物的等效氧化层厚度（EOT）要求小于1nm，也就是几个原子层的物理厚度......
GaN基HEMT器件相比前两代半导体材料具有大的禁带宽度、高的击穿电场、高电子迁移率等优势,在高温、高频大功率应用领域展现出了极......
无线通讯技术的快速发展对高频大功率器件提出了更高的要求,以便能够满足移动互联网时代数据快速稳定交换的需要。GaN材料具有良好......
第三代宽禁带半导体在高温高频大功率应用领域表现出巨大潜力，其中氮化镓（GaN）凭借着优秀的物理化学和电学性能，成为近年来发展最为迅......
