高压场效应管相关论文
随着半导体制造工艺的不断进步,芯片的物理尺寸越来越小,静电放电（Electrostatic Discharge,ESD）成为造成半导体器件失效的主要原因......
高压、ns级上升沿、脉冲宽度在μs量级、低触发晃动的脉冲源技术在许多科学研究领域都有广泛的应用。本文采用高压场效应管研制出......
高压金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)技术在过去几年中经历了很大的变化,这为电源工程师提供了许多选择.了解不同MOSFET器件......
试验用高压场效应管作为开关器件,做成脉冲幅度大于4kV、前后沿5ns左右的高压快脉冲源.介绍了该脉冲源的电路结构,着重从高压场效......
根据论文课题,首先对课题对象高压场效应管LDMOS进行实验数据采集,根据大量采集得到的数据结合工艺与器件物理原理上的分析,对一些......
