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高速外延相关论文
用于IGBT的4H-SiC材料生长及器件制备研究
更高阻断电压、更高功率密度、更高转化效率是电力电子器件技术发展持续追求的目标。相比于传统的硅(Si)材料,4H晶型碳化硅(4H-Si C)材......
学位
化学气相沉积
4H-SiC
高速外延
缺陷
n沟道绝缘栅双极型晶体管
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