(Ta2O5)1-x(TiO2)x 相关硕士博士期刊学术论文

由于Ta2O5与半导体工艺相容而成为替代SiO2(εr为3.9)的首选材料,但它的εr也只有36,因此,对Ta2O5进行掺杂改性成为提高其介电性能......