对0.13 μm工艺下的切断反馈回路的单粒子效应加同电路进行了研究,对其机理进行了分析,并对该结构进行了单粒子瞬变效应加固方面的......

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本文实现了一款应用于脉冲无线电超宽带系统的低功耗6~9 GHz开关键控（OOK）发射机。发射机由脉冲发生器、基于脉冲开/关的LC电压控制......

对0．13μm工艺下的切断反馈回路的单粒子效应加固电路进行了研究，对其机理进行了分析，并对该结构进行了单粒子瞬变效应加固方面的改进......

介绍了一种用于射频标签芯片中数字逻辑部分的上电复位电路。该上电复位电路适应于低电源电压的芯片,改变MOS晶体管的参数以及延迟......

提出了一款基于0.13μmSiGeBiCMOS工艺设计、加工的340GHz在片背腔贴片天线.辐射贴片位于AM 金属层带状线馈线置于 LY 金属层并通......

随着集成电路工艺关键尺寸的大小不断递减,集成电路现已进入深亚微米的技术阶段,并且不断向前发展。作为集成电路制造工艺中关键的......

无线局域网(WLAN, Wireless Local Area Networks)技术具有传输速度快、有效距离长、可靠性高的特点,与第三代移动通讯(3G, Third ......

随着集成电路的发展,CMOS的工艺进程突飞猛进。栅极长度是半导体制程进步的关键,从早期的0.18微米、0.13微米,进步到90纳米、65纳......