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无线局域网(WLAN, Wireless Local Area Networks)技术具有传输速度快、有效距离长、可靠性高的特点,与第三代移动通讯(3G, Third Generation)技术形成互补关系,成为世界各国建设下一代低成本宽带无线网络和信息产业发展的战略重点,而作为无线局域网收发系统中关键部分的射频(RF, Radio Frequency)功率放大器(PA, power amplifier)也迎来了新的发展机遇。新一代的无线通信技术在线性度、效率等方面都给射频功率放大器提出了更高的要求,使射频功率放大器成为无线通信集成电路(IC, Integrated Circuit)设计中的关键点和难点。本文基于0.13μm SiGe异质结双极晶体管(HBT, Heteroj unction Bipolar Transistor)工艺设计了一款工作在2.4GHz的射频功率放大器。SiGe HBT器件具有成本低廉,散热性好和能够与CMOS工艺兼容等优点,能够用于中小功率领域(如WLAN, Wi-Fi)功率放大器设计。本文功率放大器采用了三级结构来提高功率增益,用基极稳定电阻来增加稳定性,选取了合适的匹配网络,并采用了自适应线性化偏置来提高线性化性能。另外在设计版图和测试PCB板时充分考虑了寄生因素。所设计的功率放大器后仿真结果达到了预定设计指标要求。本文功率放大器通过两种测试方案进行测试,方案二中测试的功率放大器小信号功率增益为24.98dBm,1dB压缩点(1dB compression point)处输出功率(Pout, Output Power)为21.8dBm,功率附加效率(PAE, Power added Efficiency)为9.2%。本文功率放大器设计的创新点在于：1.基极稳定电阻采用每一只HBT与一个电阻串联的结构,电阻值大小适宜,减小了工艺误差对功率放大器性能的影响。2.输入匹配网络采用L型匹配,既简单又能够根据实际测试情况对接地金丝的长短进行调整,以达到对匹配网络中电感的调整并优化匹配网络的目的。3.版图设计中充分考虑寄生因素的影响,将工艺库中的电容版图进行调整,额外增加上下引线极板之间的过孔或者直接用下极板金属(UME)进行引线,以减小寄生电阻。4.采用两种方案进行功率放大器芯片的测试,通过对比验证了芯片通过铜板直接接地由于减小了寄生电感,其性能要优于通过PCB过孔接地的芯片的性能。