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1次曝光1次显影相关论文
GaAs衬底制备40nmT型栅工艺
采用双层胶工艺电子束光刻在GaAs衬底上制备40 nm栅长T型栅。制备过程仅需1次曝光1次显影,使得工艺制备过程得到简化;优化的栅制作......
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T型栅
双层胶
1次曝光1次显影
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