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采用双层胶工艺电子束光刻在GaAs衬底上制备40 nm栅长T型栅。制备过程仅需1次曝光1次显影,使得工艺制备过程得到简化;优化的栅制作工艺保证了形貌良好的栅线条。实验结果表明,该方法能制备40 nm栅长的T型栅,基本满足器件制作要求。
GaAs衬底制备40nmT型栅工艺
【摘 要】
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采用双层胶工艺电子束光刻在GaAs衬底上制备40 nm栅长T型栅。制备过程仅需1次曝光1次显影,使得工艺制备过程得到简化;优化的栅制作工艺保证了形貌良好的栅线条。实验结果表明
【机 构】
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重庆师范大学物理与电子工程学院,中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
【出 处】
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重庆理工大学学报(自然科学)
【发表日期】
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2012年06期
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