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20-14nm铜膜CMP相关论文
20-14nm集成电路铜膜化学机械抛光铜钴去除速率选择比的研究
集成电路技术节点不断降低,这对极大规模集成电路(GLSI)多层铜布线加工精度提出了更高的要求。化学机械抛光(CMP)将化学作用和机械作用......
学位
20-14nm铜膜CMP
铜钴去除速率
选择比
腐蚀抑制剂
CTS
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