用LPMOCVD方法在P—Si（111）衬底上异质外延生长SiC，用碳化方法生长出具有单晶结构的3C—SiC薄膜，研究了开始碳化温度、丙烷流量和碳化......

用LPCVD在Si(111)上异质外延了n型3C-SiC,并在所外延的3C-SiC上蒸发Au/Ti,通过不同温度下的RTA(快速热退火)形成欧姆接触.用两种不......

采用广义梯度近似方案处理电子间相互作用的交换关联能量泛函，电子波函数采用平面波基矢展开，并采用超软赝势近似离子实与价电子间相......

本文报道用在Si台面及热氧化SiO2衬底上3C-SiC薄膜的LPCVD生长,反应生长使用的气体为SiH4和C2H4,载气为H2,采用光学显微镜、X射线......