4H-SiC探测器相关论文
为研究4H-SiC探测器的抗γ辐照性能,使用40万Ci级的60 Co源对4H-SiC探测器进行了数次辐照,累积辐照剂量最大为1 MGy(Si),并在辐照......
制成了基于4H碳化硅(4H-SiC)二极管的4H-SIC探测器,研究了室温~200℃下该探测器的IV特性,同时研究了该温度范围内4H-S1C探测器对α......
为研究4H-SiC探测器的抗γ辐照性能,使用40万Ci级的60Co源对4H-SiC探测器进行了数次辐照,累积辐照剂量最大为1MGy(Si),并在辐照后......
研制了一款采用PCB（Printed Circuit Board）板封装、直接信号波形采样引出、用于激光等离子体飞行时间测量的4H-SiC探测器,探测器灵......
