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研究了 In Ga As量子点材料自发发射、放大自发发射及光增益特性 .实验发现 In Ga As量子点材料随着注入电流密度的增加 ,其自发发......
采用卢瑟福背散射及沟道效应、X射线双晶衍射和光致发光谱三种技术对两类未故意掺杂的 MOVPE生长的 Ga N样品进行综合测试 .它们在......
High efficiency Al|free InGaAs/InGaAsP/InGaP lasers emitting at 980nm are fabricated by MOCVD. The lasers exhibit a hig......
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采用低压金属有机气相外延设备生长并制作了1550nmAIGalnAs-InP偏振无关半导体光放大器，有源区为3周期的张应变量子阱结构，应变量为-......
