低能电子衍射 (LEED)对 6H SiC(0 0 0 1) (3× 3)R30°表面的研究结果表明 ,该表面有 1/3单层的Si原子吸附在T4 空位上与第一个Si......

低能电子衍射(LEED)对6H-SiC(0001)-(3×3)R30°表面的研究结果表明，该表面有1/3单层的Si原子吸附在T4空位上与第一个SiC复合层中的......